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深圳市英特翎科技有限公司
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产品信息
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 70 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.1V @ 250μA
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 336pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.08W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 70 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.1V @ 250μA
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 336pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.08W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 70 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.1V @ 250μA
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 336pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.08W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DMP3098L-7DMP3098L-7DMP3098L-7
