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深圳市英特翎科技有限公司
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产品信息
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.33A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 36pF @ 16V
功率 - 值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.33A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 36pF @ 16V
功率 - 值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.33A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 36pF @ 16V
功率 - 值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.33A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 36pF @ 16V
功率 - 值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
DMN2400UV-7DMN2400UV-7DMN2400UV-7DMN2400UV-7