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深圳市英特翎科技有限公司
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产品信息
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 35 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 23.1nC @ 4.5V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSOT-26
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 35 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 23.1nC @ 4.5V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSOT-26
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 35 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 23.1nC @ 4.5V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSOT-26
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 35 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 23.1nC @ 4.5V
Vgs（值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSOT-26
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
DMP2035UVT-7DMP2035UVT-7DMP2035UVT-7DMP2035UVT-7
