DIODES BSS138-7-F SOT-23-3_深圳市英特翎科技有限公司

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DIODES BSS138-7-F SOT-23-3

型号/规格：

BSS138-7-F

品牌/商标：

DIODES(美台）

封装形式：

SOT23-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 300mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138-7-FBSS138-7-FBSS138-7-FBSS138-7-F

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集成电路(IC)(35)

电源IC(123)

半导体存储器(3)

二极管(177)

场效应管MOSFET(211)

单片机(9)

电源/稳压器(5)

开关(5)

传感器(6)

放大器(11)

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