- 非IC关键词
深圳市英特翎科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.interine.com/ad
收藏本公司 人气：891606
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：11年
- 陈先生
- 电话：0755-83299553
- 手机：15712006850
- 阿库IM：
- 地址：深圳市华强北新亚洲电子商城一期6楼628室
- 传真：0755-8399962
- E-mail：nikki-wxp@interine.com
询价相关产品
产品信息
型号DMN2005K-7
DMN2005K-7
DMN2005K-7
DMN2005K-7
类别 分立半导体产品
晶体管单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，2.7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
900mV @ 100μA
Vgs（大值）
±10V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN2005
类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，2.7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
900mV @ 100μA
Vgs（大值）
±10V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN2005
类别 分立半导体产品
晶体管
单 FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装
卷带（TR）
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.8V，2.7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
900mV @ 100μA
Vgs（大值）
±10V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
350mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN2005