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深圳市英特翎科技有限公司
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相关产品
产品信息
型号SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3
类别
分立半导体产品晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带(TR)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.1A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
25 nC @ 4.5 V
Vgs(大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1225 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
SI2333
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带(TR)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.1A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
25 nC @ 4.5 V
Vgs(大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1225 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
SI2333
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET?
包装
卷带(TR)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.1A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
25 nC @ 4.5 V
Vgs(大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
1225 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
SI2333