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深圳市英特翎科技有限公司
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VISHAY/威世 SQJ488EP-T1_BE3 MOSFET
型号/规格:SQJ488EP-T1_BE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:PowerPAK? SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQJ479EP-T1_GE3 MOSFET
型号/规格:SQJ479EP-T1_GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQJ459EP-T1_GE3 MOSFET
型号/规格:SQJ459EP-T1_GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQJB40EP-T1_BE3 MOSFET
型号/规格:SQJB40EP-T1_BE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:PowerPAK? SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQJ138EP-T1_GE3 MOSFET
型号/规格:SQJ138EP-T1_GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:PowerPAK? SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQJB80EP-T1_GE3 MOSFET
型号/规格:SQJB80EP-T1_GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:PowerPAK? SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQJQ160E-T1_GE3 MOSFET
型号/规格:SQJQ160E-T1_GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:PowerPAK? 8 x 8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQJ407EP-T1_GE3 MOSFET
型号/规格:SQJ407EP-T1_GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:PowerPAK? SO-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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VISHAY/威世 SQ9945BEY-T1_GE3 MOSFET
型号/规格:SQ9945BEY-T1_GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:8-SOIC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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DIODES/美台 DMN26D0UT-7 MOSFET
型号/规格:DMN26D0UT-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-523 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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MAXIM/美信 MAX5307EUE+ 数模转换器
型号/规格:MAX5307EUE+ 品牌/商标:MAXIM/美信 封装:16-TSSOP 批号:2022 位数:12
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TI/德州仪器 DS3486MX/NOPB 接收器
型号/规格:DS3486MX/NOPB 品牌/商标:TI/德州仪器 封装:16-SOIC 批号:2022 类型:接收器
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DIODES/美台 AZ1117H-ADJTRE1 稳压器
型号/规格:AZ1117H-ADJTRE1 品牌/商标:DIODES/美台 封装:SOT-223-3 批号:2022 输出类型:可调式 输出配置:正
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DIODES/美台 AL5809-15P1-7 LED驱动器
型号/规格:AL5809-15P1-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装:PowerDI? 123 批号:2022 内部开关:是 输出数:1
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DIODES/美台 DFLR1200-7 二极管整流器
型号/规格:DFLR1200-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:PowerDI? 123 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:1A 反向击穿电流:3 μA @ 200 V
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DIODES/美台 DMP2065UFDB-7 MOSFET
型号/规格:DMP2065UFDB-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:U-DFN2020-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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DIODES/美台 AS7805ADTR-E1 稳压器
型号/规格:AS7805ADTR-E1 品牌/商标:DIODES/美台 封装:TO-252-3 批号:2022 输出配置:正 输出类型:固定
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Microchip/微芯 ATSAM3X8EA-AU 微控制器
型号/规格:ATSAM3X8EA-AU 品牌/商标:Microchip/微芯 内存大小:32位 内核规格:32 位单核 速度:84MHz
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MAXIM/美信 MAX487ECSA+T 收发器
型号/规格:MAX487ECSA+T 品牌/商标:MAXIM(美信) 封装:8-SOIC 批号:2022 类型:收发器 协议:RS422,RS485
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TI/德州仪器 OPA2237UA/2K5 放大器
放大器类型:通用 电路数:2 压摆率:0.5V/μs 增益带宽积:1.5 MHz 电流 - 输入偏置:10 nA
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DIODES/美台 DMG1012T-7 MOSFET
型号/规格:DMG1012T-7 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-523-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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ST/意法 STM32F030C8T6 微控制器
型号/规格:STM32F030C8T6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:64位 程序存储器大小:64 kB 数据总线宽度:32 bit
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Microchip/微芯 MCP3423-E/UN 模数转换器
型号/规格:MCP3423-E/UN 品牌/商标:Microchip/微芯 封装:MSOP-10 批号:2022 分辨率:18 bit
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DIODES/美台 FZT851TA 双极晶体管
型号/规格:FZT851TA 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-223-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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ON/安森美 MMSZ5225BT1G 稳压二极管
型号/规格:MMSZ5225BT1G 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:SOD-123-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 反向电压:3 V 反向击穿电流:50 uA
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TI/德州仪器 UCC28060DR 功率因数校正
型号/规格:UCC28060DR 品牌/商标:TI(德州仪器) 封装:SOIC-Narrow-16 批号:2022 开关频率::500 kHz
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DIODES/美台 B350A-13-F 肖特基二极管
型号/规格:B350A-13-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SMA-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:3A 反向电压:50V
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DIODES/美台 1N4001-T 整流器
型号/规格:1N4001-T 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:DO-41 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 电流:1 A 反向击穿电流:5 uA
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DIODES/美台 B320A-13-F 肖特基二极管
型号/规格:B320A-13-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SMA-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:3A 反向电压:20V
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DIODES/美台 SMAZ10-13-F 稳压二极管
型号/规格:SMAZ10-13-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SMA-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 反向电压:10 V 反向击穿电流:1 uA
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DIODES/美台 DMP3036SSS-13 MOSFET
型号/规格:DMP3036SSS-13 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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DIODES/美台 ES2BA-13-F 整流器
型号/规格:ES2BA-13-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SMA-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:50A 反向击穿电流:5 uA
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Infineon/英飞凌 IRFR6215TRPBF MOSFET
型号/规格:IRFR6215TRPBF 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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DIODES/美台 BAV199Q-7-F 二极管
型号/规格:BAV199Q-7-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:4A 反向击穿电流:5 nA
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DIODES/美台 BAW56-7-F 二极管
型号/规格:BAW56-7-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:300 mA 反向击穿电流:2.5 uA
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VISHAY/威世 SI2356DS-T1-GE3 MOSFET
型号/规格:SI2356DS-T1-GE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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ST/意法 STM32F103VET6 ARM微控制器
型号/规格:STM32F103VET6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:64位 程序存储器大小:512 kB 处理器:ARM Cortex M3
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DIODES/美台 BC847PNQ-7-F 双极晶体管
型号/规格:BC847PNQ-7-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT-363-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: